Samsung 990 EVO’nun yalnızca 1 TB ve 2 TB kapasiteli versiyonları olacak gibi görünüyor. DRAM’siz bir kontrolcüye sahip olduğu anlaşılan SSD’de, Samsung üretimi 133 katmanlı 3D TLC (V-NAND V6 Prime) NAND yongaları kullanılıyor. Yazma hızını arttırmak için ise sahte-SLC önbellek kullanılıyor. 990 EVO, 4 şeritli PCI-Express 4.0 bağlantısıyla, 5,000 MB/s okuma ve 4,200 MB/s yazma hızlarına ulaşabiliyor.
Samsung 990 EVO Özellikleri | ||
Kapasite | 1 TB | 2 TB |
Kontrolcü | Samsung S4LY022 Piccolo | |
NAND Flash | Samsung 7. Gen. V-NAND (133L 3D TLC) | |
Arayüz | M.2-2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0 | |
Sıralı okuma | 5000 MB/s? | 5000 MB/s |
Sıralı yazma | 4200 MB/s? | 4200 MB/s |
Rastgele okuma IOPS | 680K | 700K |
Rastgele yazma IOPS | 800K? | 800K |
SLC ön bellek | Evet | |
TCG Opal Şifreleme | Evet | |
Garanti | 5 yıl | |
Yazma ömrü | 600 TBW 0.3 DWPD |
1200 TBW 0.3 DWPD |
Samsung ayrıca 970 EVO’ya kıyasla Watt başına 2 – 3 kat aktarım hızıyla, güç verimliliğinin önemli oranda arttırıldığını belirtiyor. SSD’de kullanılan Piccolo kontrolcünün 5nm üretim süreci ve V6 Prime yongasının verimlilik iyileştirmeleri bu açıdan önemli bir söz sahibi. 990 EVO’nun fiyatlandırması ve lansman tarihi ise henüz belli değil.